動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，簡稱DRAM）是計(jì)算機(jī)中廣泛使用的一種半導(dǎo)體存儲器，主要用于臨時(shí)存儲數(shù)據(jù)和程序。它被稱為“動(dòng)態(tài)”是因?yàn)槠浯鎯卧枰芷谛运⑿乱员３謹(jǐn)?shù)據(jù)，而“隨機(jī)存取”則意味著可以以任意順序讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)，與訪問位置無關(guān)。

DRAM的基本存儲單元由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容組成。電容負(fù)責(zé)存儲電荷（代表二進(jìn)制數(shù)據(jù)1或0），而晶體管則作為開關(guān)控制電荷的讀寫。由于電容會(huì)自然泄漏電荷，數(shù)據(jù)會(huì)隨時(shí)間衰減，因此需要定期刷新（通常每幾毫秒一次）來維持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。這一特性使得DRAM在斷電后會(huì)丟失所有數(shù)據(jù)，屬于易失性存儲器。

相比于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM），DRAM具有結(jié)構(gòu)簡單、集成度高和成本低的優(yōu)勢，因此被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)的主內(nèi)存（如DDR系列內(nèi)存條）、圖形卡和移動(dòng)設(shè)備中。DRAM的讀寫速度較慢，且功耗較高，這是由其刷新機(jī)制和電容特性決定的。

隨著技術(shù)發(fā)展，DRAM已衍生出多種類型，如同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）和雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DDR SDRAM），這些改進(jìn)版本通過優(yōu)化時(shí)序和帶寬，顯著提升了性能?？傮w而言，DRAM在現(xiàn)代計(jì)算系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，是支撐高效數(shù)據(jù)處理的基礎(chǔ)組件。盡管面臨新型存儲器技術(shù)的競爭，但DRAM憑借其成熟性和經(jīng)濟(jì)性，仍在市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。